La nouvelle mémoire PRAM (pour « Phase-change Random Access Memory »), développée par la compagnie sud-coréenne Samsung, est selon l’entreprise, jusqu’à 30 fois plus rapide que la mémoire flash traditionnelle. Comme la mémoire Flash ou les disques durs, cette mémoire peut conserver les données lorsqu’elle n’est plus d’alimenter en électricité.
La PRAM ne devrait pas être disponible avant 2008. Les modèles actuels ont une capacité de 512Mo et sont constitués de minuscules diodes montées à la verticale.
Une nouvelle mémoire Flash NAND devrait aussi bientôt sortir des laboratoires de Samsung pour proposer une capacité de stockage de 32 gigaoctets. Pour arriver à de telles capacités, Samsung utilise une nouvelle technologie travaillant à une précision de 40 nanomètres, au lieu des 70 nanomètres que l’on retrouve dans ses usines actuellement.
